Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Radiophysics
Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետը ստեղծվել է 1975 թ-ին:
>
Արփինե Կորյունի Սիմոնյան

Կրտսեր գիտաշխատող | Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն
Կրթություն
2001-2005թթ.Երևանի Պետական Համալսարան, Ռադիոֆիզիկա և Էլեկտրոնիկա, Բակալկավրի աստիճան
2005-2007թթ.Երևանի Պետական Համալսարան, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և Միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն, Մագիստրոսի աստիճան
2013 թ. ֆիզ. մաթ. գիտ. թեկնածու

Աշխատանքային գործունեություն
2007 մինչ այժմ Երևանի Պետական Համալսարան, Կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի և նանոտեխնելեգիանների կենտրոն, կրտսեր գիտ. աշխատող

Գիտական հետաքրքրությունների շրջանակը
Si-Ge-C եռակոմպոնենտ և InAs-InSb-InP քառակոմպոնենտ համակարգերում քվանտային կետեր – նանոխոռոչներ աճի և առայացման մեխանիզմները քանակապես ուսումնասիրելու համար կիրառվում է կոնտինիում առաձգականության մե մեթոդը: Էներգիայի հաշվարկների հետ միասին, ստացված արդյունքները ցուըց են տվել, որ ցանցի անհամատեղելության նշանը և արժեքը կարևոր դեր են խաղում այս համակարգերում նանո օբյեկտների առաջացման մեջ: Մասնավորապես, քանակապես ցույց է տրվել, որ հատկապես ածխածնի կոնցենտրացիայի ներմուծումը և ավելացումը SiGe համակարգում բերում է կրիտիկական էնեգիայի և ծավալի փոքրացման, որից հետո քվանտային կետերը դառնում են կայուն: Հաշվարկվել է SiC երկկոմպոնենտ և SiGeC եռկոմպոնենտ համակարգերում լարվածության համար կրիտիկական արժեքը, երբ աճի մեխանիզմը քվանտային կետից անցնում է նանոխոռոչի ձևավորման: Նման հաշվարկներ կատարվել են նաև InAs-InSb-InP քառակոմպոնենտ համակարգի համար:
InAs(100) տակդիրի վրա InAsSbP կղզյակների ձևավոևման համար կիրառվում է հեղուկա ֆազային էպիտաքսիայի մեթոդը: Կղզյակի ծավալի փոքրացման դեպքում նկատվել է կղզյակի ձևի փոփոխություն: Քառակոմպոնենտ կղզյակերի ձևի փոփոխությունը <<բրգանմանից>> կիսագնդի դիտարկվել է նաև փորձնական ճանապարհով, ինչպես նաև բացատրվել և հաշվարկվել է տեսականորեն: Առաջարկված տեսական մոտեցումը կիրառվել է նաև Si(001) տակդիրի վրա SiGe կղզյակների աճի համար: Ցույց է տրված, որ երկու նյութերի համար էլ տեսականորեն հաշվարկված կրիտիկական արժեքները համընկնում են փորձնական տվյալների հետ:

Մասնակցությունը դրամաշնորհների
2011-2012 Հայկական Ազգային Գիտության Ֆոնդ

Անդամակցություն
7-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Ծաղկաձոր, 3-5 հուլիս, 2009
8-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Երևան, 3-5 հուլիս, 2011
9-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Երևան, 2013

Գիտաժողով
Նանոտրիբոլոգիա, Տրիեստե, Իտալիա, 12-17 սեպտեմբեր, 2011

Լեզուներ
հայերեն,անգլերեն,ռուսերեն

a.simonyan@ysu.am

Nanostructures Nucleation Features and Miscibility Analysis in Zinc-Blend and Wurtzite GaN-InN-AlN Material System
2017 | Հոդված/Article
Journal of Nanoscience and Technology, 2017, 3(2), 253-255 pp.
|
Growth features and nucleation mechanism of Ga1-x-yInxAlyN material system on GaN substrate
2017 | Հոդված/Article
Advances in Nano Research, 2017, Vol. 5, No 4, 303-311 pp.
|
Competing nucleation of islands and nanopits in zinc-blend and wurtzit GaN-InN-AlN quaternary material system
2017 | Հոդված/Article
Eleventh International Conference “Semiconductor Micro- and Nanoelectronics”. p. 19-22
|
Competing nucleation of islands and nanopits in zinc-blend III-nitride quaternary material system
2016 | Հոդված/Article
Journal of Physics: Conference Series. 2016, 151, 012009 (4 pages)
Nanostructures Growth Features in GaInAlN Quasiternary Material System
2015 | Հոդված/Article
The Tenth International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, 2015-09-11, 101-103 pp.
|
Theoretical study of quantum dots distribution function and the process of nucleation during Ostwald ripening in InAsSbP system
2013 | Հոդված/Article
Journal of Contemporary Physics, vol. 48, issue 5, 2013, pp. 220-224
Quantitative Analysing of InAsSbP Quantum Dots Size Distribution at Ostwald Ripening on InAs(100) substrate
2013 | Հոդված/Article
International Conference of Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Yerevan, Armenia, 2013, p.p. 120-122
GaAsSbP Quasiternary Material System: Nanostructures Growth Features and Immiscibility Analysis
2012 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, vol. 5, issue 3, 2012,pp 156-163
Growth Features and Competing Nucleation of Quantum Dots-Nanopits Cooperative Structures in SiGeC Ternary System
2012 | Հոդված/Article
Journal of Contemporary Physics, vol. 47, No 4, 2012, p.p. 173-180
Growth Features and Competing Nucleation of Quantum Dots-Nanopits Cooperative Structures in SiGeC Ternary System
2011 | Հոդված/Article
International Conference of Semiconductor Micro- and Nanoelectronics, Yerevan, Armenia, 2011, p.p. 201-204
Nucleation mechanism of strain-induced InAsSbP quantum dots and pits at liquid phase epitaxy on InAs(100) substrate
2009 | Հոդված/Article
“Semiconductor micro- and nanoelectronics”, Proceedings of the 7th International Conference, Tsakhcadzor, Armenia, July 3-5, 2009, p.p. 164-167
Nucleation mechanism of strain-induced InAsSbP quantum dots and pits at liquid phase epitaxy on InAs(100) substrate
2009 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, v. 2, issue 4, 2009, p.p. 268-273.
|
K.M. Gambaryan , V.M. Aroutiounian, A.K. Simonyan , T. Boeck
Shape Transition of Strain-Induced InAsSbP Islands at Liquid-Phase Epitaxy on InAs(100) Substrate: From Pyramid to Semi-globe
2008 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, vol. 1, issue 3, 2008, p.p. 208-218