![]() |
Արփինե Կորյունի Սիմոնյան
Կրտսեր գիտաշխատող | Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն Կրթություն
2001-2005թթ.Երևանի Պետական Համալսարան, Ռադիոֆիզիկա և Էլեկտրոնիկա, Բակալկավրի աստիճան 2005-2007թթ.Երևանի Պետական Համալսարան, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և Միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն, Մագիստրոսի աստիճան 2013 թ. ֆիզ. մաթ. գիտ. թեկնածու Աշխատանքային գործունեություն 2007 մինչ այժմ Երևանի Պետական Համալսարան, Կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի և նանոտեխնելեգիանների կենտրոն, կրտսեր գիտ. աշխատող Գիտական հետաքրքրությունների շրջանակը Si-Ge-C եռակոմպոնենտ և InAs-InSb-InP քառակոմպոնենտ համակարգերում քվանտային կետեր – նանոխոռոչներ աճի և առայացման մեխանիզմները քանակապես ուսումնասիրելու համար կիրառվում է կոնտինիում առաձգականության մե մեթոդը: Էներգիայի հաշվարկների հետ միասին, ստացված արդյունքները ցուըց են տվել, որ ցանցի անհամատեղելության նշանը և արժեքը կարևոր դեր են խաղում այս համակարգերում նանո օբյեկտների առաջացման մեջ: Մասնավորապես, քանակապես ցույց է տրվել, որ հատկապես ածխածնի կոնցենտրացիայի ներմուծումը և ավելացումը SiGe համակարգում բերում է կրիտիկական էնեգիայի և ծավալի փոքրացման, որից հետո քվանտային կետերը դառնում են կայուն: Հաշվարկվել է SiC երկկոմպոնենտ և SiGeC եռկոմպոնենտ համակարգերում լարվածության համար կրիտիկական արժեքը, երբ աճի մեխանիզմը քվանտային կետից անցնում է նանոխոռոչի ձևավորման: Նման հաշվարկներ կատարվել են նաև InAs-InSb-InP քառակոմպոնենտ համակարգի համար: InAs(100) տակդիրի վրա InAsSbP կղզյակների ձևավոևման համար կիրառվում է հեղուկա ֆազային էպիտաքսիայի մեթոդը: Կղզյակի ծավալի փոքրացման դեպքում նկատվել է կղզյակի ձևի փոփոխություն: Քառակոմպոնենտ կղզյակերի ձևի փոփոխությունը <<բրգանմանից>> կիսագնդի դիտարկվել է նաև փորձնական ճանապարհով, ինչպես նաև բացատրվել և հաշվարկվել է տեսականորեն: Առաջարկված տեսական մոտեցումը կիրառվել է նաև Si(001) տակդիրի վրա SiGe կղզյակների աճի համար: Ցույց է տրված, որ երկու նյութերի համար էլ տեսականորեն հաշվարկված կրիտիկական արժեքները համընկնում են փորձնական տվյալների հետ: Մասնակցությունը դրամաշնորհների 2011-2012 Հայկական Ազգային Գիտության Ֆոնդ Անդամակցություն 7-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Ծաղկաձոր, 3-5 հուլիս, 2009 8-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Երևան, 3-5 հուլիս, 2011 9-րդ Միջազգային գիտաժողով Կիսահաղորդչային Միկրո- և Նանոէլեկտրոնիկա, Երևան, 2013 Գիտաժողով Նանոտրիբոլոգիա, Տրիեստե, Իտալիա, 12-17 սեպտեմբեր, 2011 Լեզուներ հայերեն,անգլերեն,ռուսերեն a.simonyan@ysu.am |