Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Radiophysics
Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետը ստեղծվել է 1975 թ-ին:
>
Բաբկեն Օքսենի Սեմերջյան

Կրտսեր գիտաշխատող | Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն
Կրթություն
1960 - 1964 թթ. – Երևանի ինֆորմատիկայի պետական քոլեջ (նախկին Էլեկտրոնային հաշվողական մեքենաների (ԷՀՄ)տեխնիկում)
Տեխնիկ-էլեկտրամեխանիկի որակավարում “ԷՀՄ, սարքեր և սարքավորումներ” մասնագիտությամբ
1965 - 1970 թթ. - Երևանի պետական համալսարանի ֆիզիկայի ֆակուլտետ
Ռադիոֆիզիկոսի որակավորում “ ռադիոֆիզիկա և էլեկտրոնիկա” մասնագիտությամբ
1972 - 1976 թթ.- Ստ-Պետերբուրգի (Լենինգրադի) ԽՍՀՄ ԳԱ ակադ. Ա. Ֆ. Իոֆֆեի անվան ֆիզիկա-տեխնիկական ինստիտուտի նպատակային ասպիրանտուրա (“Ոչ հավասարակշիռ պրոցեսները կիսահաղորդիչներում” լաբորատորիա ) “Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա” մասնագիտությամբ

Աշխատանքային և հետազոտական կենսագրություն
1963 - 1965 թթ. - Երևանի Մաթեմատիկական մեքենաների գիտահետազոտական ինստիտուտ, ԷՀՄ տեխնիկ - էլեկտրամեխանիկ
1969 - 1971 թթ. – ԵՊՀ ԳԲՀ Ռադիոֆիզիկայի ամբիոն, լաբորանտ
1971 - 1972 թթ և 1976-1989թթ. – ԵՊՀ Կիսահաղորդչային նյութերի և սարքերի պրոբլեմային լաբորատորիա, րտսեր գիտական աշխատող
1989 - 2005 թթ – ԵՊՀ Կիսահաղորդչային նյութերի և սարքերի պրոբլեմային լաբորատորիա, գիտական աշխատող
2005 թ-ից մինչ այժմ ԵՊՀ Կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիաների կենտրոն, կրտսեր գիտական շխատող
1977 թ-ից մինչ այժմ ԵՊՀ Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի և կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնոլոգիաների կենտրոն, նյութական պատասխանատու անձ

Ակադեմիական կուրսեր/ Դասավանդական և նախապատրաստական փորձառույթներ
1. “Իմպուլսային տեխնիկա” – ԵՊՀ Ֆիզիկայի ֆակուլտետ, ԳԲՀ Ռադիոֆիզիկայի ամբիոն, դասախոսություն
2. “Միջուկային էլեկտրոնիկայի կիսահաղորդչային սարքեր” - ԵՊՀ ՖԻզիկայի ֆակուլտետ, Միջուկային ֆիզիկայի ամբիոն, դասախոսություն
“Էլեկտրոնային մեթոդները և միջոցները ֆիզիկական էքսպերիմենտի չափումներում” - ԵՊՀ ՖԻզիկայի ֆակուլտետ, Միջուկային ֆիզիկայի ամբիոն,դասախոսություն
3. “Բյուրեղաֆիզիկա” - ԵՊՀ Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն, լաբորատոր աշխատանքներ
“ԳԲՀ Կիսահաղորդչային սարքեր” - ԵՊՀ Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն, լաբորատոր աշխատանքներ, դասընթացների, լաբորատոր աշխատանքների ապահովում

Հիմնական հետազոտական նախընտրություններ/ փորձագիտական ոլորտներ
Ոչ հավասարակշիռ պրոցեսների հետազոտումը նոր կիսահաղորդչային նյութերում և կառուցվածքներում (Ֆոտոլումինեսցենցիա, ֆոտոհաղորդականություն , գազային զգայունություն)
Տարբեր մեթոդներով մշակված ծակոտկեն մակերեսով կիսահաղորդչային նոյւթերի մորֆոլոգիայի հետազոտումը էլեկտրոնային տեսածրային և օպտիկական մանրադիտակների օգնությամբ

Ընթացիկ հետազոտական նախընտրություններ
Նանոէլեկտրոնային գազային տվիչների մակերեսային շերտի գազազգայունության ուսումնասիրումը ստատիկ և աղմկային բնութագրերի միջոցով, տարբեր աշխատանքային պայմաններում
Գազային տվիչներով ազդարարիչների բնութագրերի ջերմային հատկությունների կատարելագործումը

Մասնագիտական և ոչ մասնագիտական կազմակերպությունների անդամակցում
1. Հայաստանի էլկտրոնային մանրադիտողների ընկերության անդամ
2. ՀՀ Բնապահպանության նախարարությունում պետական ծառայողների աշխատանքի ընդունելության հանձնաժողովի անդամ

Միջազգային մենաշնորհների մասնակցություն
International Science and Technology Center (ISCTC)
Grant –Project # A – 322;
International Science and Technology Center (ISCTC)
Grant –Project # A – 1232;
International Science and Technology Center (ISCTC)
Grant –Project # A – 1951;
Civilan Research and Development Foundation (CRDF)
Grant –Project IPP – CRDF – ARP-2-2678-YE-05

Լեզուներ
Հայերեն, ռուսերեն, անգլերեն

semicsemer@ysu.am

Статические и щумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров
2014 | Հոդված/Article
Известия АН Арм. ССР. Физика. – 2014 г. – Т , 5c.
Gas Detector Thermal Testing Chamber with on Trial Gas Mixtures
2013 | Հոդված/Article
Semiconductor Micro and Nanoelectronics. Proc. of the Ninth International Conference, May 24-26, Yerevan, Armenia, 2013, p. 91, p. 4
Low-frequency noise special measurement chamber
2011 | Հոդված/Article
Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Eight International Conference. Yerevan, Armenia, July 1-3 2011,p. 6
B. O. Semerjyan , A.E. Ckhachatryan
Colour iridizations and backscattering electron imaging in the study of metal alloy microstructures
2007 | Հոդված/Article
Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Sixth International Conference. Tsakhkadzor, Armenia, pp. 184-187. September 18-20, 2007, p. 4
Z.N. Adamian , B. O. Semerjyan , Kh.S. Martirosyan
Aging of porous silicon based photoelectric structures
2006 | Հոդված/Article
Hydrogen energy.- Russia, 2006, т.6, вып.12. стр. 33, p. 4
Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures
2005 | Հոդված/Article
Proc. of the Second Renewable Energy Conf. “Energy for Future”, Yerevan, June 27-28, 2005, pp. 122-124, 2005
Stability of the photoluminescence decay kinetics and performance of porous silicon based photoelectric structures
2005 | Հոդված/Article
Int. Sc. J. for Alternative Energy and Ecology ISJAEE, N12(32), 76-79, 2005
Silicon photodiode as photosensitive capacitance
2005 | Հոդված/Article
Proc. of the Fifth International Conference on Semiconductor Nanoelectronics and Microelectronics, Yerevan 2005, p. 45, p. 4
Семерджян Б. О , Мартиросян Х.С
"Исследования методами СЭМ и локальной лазерной фотолюминесценции фотодиодных структур со слоем пористого кремния"
2004 | Թեզիս/Thesis
Тезисы докладов XX Российской конференции "Электронная микроскопия", проведенной в г. Черноголовка. – 2004, c. 1
Время-разрешенные спектры фотолюминесценции пористого кремния
2003 | Հոդված/Article
Материалы IV Национальной конференции "Полупроводниковая микроэлектроника", Цахкадзор, май 29-31, с. 125-128, 2003
Semerjyan B. O , Semerjian A.B
Investigation of Porous Surface Area Participating in Transcapillary Metabolism
2001 | Թեզիս/Thesis
SCANNING.-2001.-Vol.23, N2. Proceedings of SCANNING 2001, New York, NY, USA, p, 1.
Собирание фотогенерированных носителей из фоточувствитель-ных структур с p-n-переходом на основе кремния
2001 | Հոդված/Article
Материалы III национальной конференции. Дилиджан. -2001, c. 4.
Study of the Porous Surface Microstruc-tures' Profile with the Method of Stereo-microgonio-metry in SEM
2000 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the IX International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 2000, p. 1
SEM Beam backscattered Electron Multiplier Silicon Sensor
1999 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the VIII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 1999, p. 1
Стимулированные током оптические неоднородности в базе инжекционного фотодиода
1999 | Հոդված/Article
Материалы II национальной конференции. Дилиджан. – 1999, c. 4
Quantitative Analysis of Surface Roughness by SEM
1999 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the VIII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N4. Yerevan. 1999, p. 1
Creation of Submi-cron Structures and Devices by Photoelectron Lithography on SEM
1998 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the VII International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N3. - Yerevan. 1998, p. 1
Semerjyan B. O. , Semerjian А.В., Semerjian Z.B.
Molecular Modeling of Aspirin, Paracetamol and Coffein by Computational Methods and Visualisation Program MAC SPARTAN
1997 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the VI International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N2. Yerevan -Tsakhkadzor. 1997, p. 1
О возможности использованная инжекционных фотодиодов для регистрации импульсного излучеия наносек-ундного диапозона
1997 | Հոդված/Article
Материалы I национальной конференции. Дилиджан. – 1997, c. 4
Էլեկտրոնիկայի և լուսանկարչության վերաբերյալ հոդվածներ
1997 | Թեզիս/Thesis
Տնային տնտեսության հանրագիտարան. -1997: "Հայաստանի Հանրագիտարան" հրատարակչություն, էջ 10
Semerjyan B. O , Semerjian A.B
SEM-imaginary Analysis by B/W Picture Structure Colour Video-coding
1996 | Հոդված/Article
Proceedings of the V • International Meeting on Electron Microscopy. World of Microstructure. N1. Yerevan - Sevan. 1996, p. 2
50 MeV Electron Bunch Irradiation Stability of Silicon IR Sensing Structures
1995 | Թեզիս/Thesis
1sl International Conference on Application of Critical technologies for the Needs of Society. - 1995. -Yerevan, Armenia, p. 1
New Performance Parameter of Microbeam Detection Arrangements og Low-Energy Charged Particles
1995 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the IV International Meeting on Electron Microscopy. Yerevan - Sevan. 1995, p. 1
Optical Double Beam Autobalance Gas Sensor's Photoelectric System Stability
1994 | Հոդված/Article
Proceedings of the 5th International Meeting on Chemical Sensors. - 1994. - Rome, Italy, p. 4
Optical Gas Sensor with Photoelectric Receiver in Feedback Circuit
1993 | Հոդված/Article
Proceedings of East Asia Conference on Chemical Sensors (EACCS'93). -1993. - Fukuoka, Japan, p. 6
Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons
1992 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1
Разработка и исследование высокочувствительных датчиков на основе кремния и сложных полупроводниковых соединений
1991 | Հոդված/Article
Отчет о научно-исследовательской работе. Гос. Коммитет по народному образованию и науке РА. ЕГУ-1991.-Гос. per. N0187.0010632. УДК: 621.315.59, c. 11
Арутюнян В.М , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е
Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов
1990 | Հոդված/Article
Известия АН Арм. ССР. Физика. - 1990. -Т.25, вып. 1, c. 8
Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons
1990 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6
Фотоемкостная спектроскопия атомов серы и дефектов термообработки
1990 | Թեզիս/Thesis
Тезисы докладов. Всесоюзная конференция. Основные направления в области развития технологии, конструирования и исследования силовых полупроводниковых приборов. Ереван. – 1990, c. 1
Фотоприемник из компенсированного кремния
1990 | Հոդված/Article
Каталог вузовских завершенных научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, подлежащих внедрению. Мин высш. и средн. спец. образования. Арм. ССР. – 1990, c. 1
Арутюнян B.M. , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е, Заргарян В.Ш., Мхикян В.А
Фоточувствительные структуры на основе кремния, легированного селеном
1989 | Հոդված/Article
Ученые записки ЕрГУ. -1989.-вып. 1, c. 6
Haroutiunian V.M , Semerjyan B. O , Akhoyan Z.N, Barseghyan R.S
Photocapacitive Spectroscopy of Sulfur Atoms and Heat Treatment Defects in n-Si
1989 | Հոդված/Article
Proceedings of the III International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in the Semiconductor Technology (GADEST'89). Solid State Phenomena. - 1989. - Vol. 6&7, Berlin, p. 6
Арутюнян В.М , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е
Характеристики фотоприемников из кремния компенсированного серой, селеном и теллуром
1989 | Թեզիս/Thesis
Тезисы докладов. Всесоюзная конференция. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -Ташкент. – 1989, c. 1
Арутюнян В.М , Барсегян Р.С, Семерджян Б. О , Григорян Г.Е
Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура
1988 | Հոդված/Article
Известия АН Арм. ССР. Физика. - 1988. - Т.23, вып. 2, c. 7
Barseghyan R.S, Semerjyan B. O , Grigoryan G.B
Parameters of impurity centers created by insertion of Selenium and Tellurium into Silicon
1988 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). - 1988.- v.23,issue2. Allerton Press. Inc, p. 6
Haroutiunian V.M. , Barseghyan R.S, Semerjyan B. O , Grigoryan G.B, Mkhikyan V.A
Photoelecric properties of Selenium Doped p+-n-n+ Silicon Structure
1988 | Հոդված/Article
Proceedings of the IV International Conference on Infrared Physics (CIRP4). Zurich. Infrared Physics. -1988.-Vol.29, N2-4, p. 4
Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов
1988 | Հոդված/Article
Микроэлектроника и промышленная электроника. Межвузовский тематический сборник научных трудов. Изд. ЕрПИ, Ереван. – 1988, c. 4
Исследование фоточувствительных структур на основе примесного кремния
1987 | Թեզիս/Thesis
Тезисы докладов. Конференция университетов закавказских республик. Тбилиси.- 1987, c. 1
Радиационная физика устойчивости фоточувствительных структур на основе примесного кремния
1987 | Հոդված/Article
Доклад на Всесоюзной сессии секции ""Радиационная физика полупроводников" Научного совета по проблеме "Физика и химия полупроводников" Отделения общей физики и астрономии АН СССР, Ереван- Анкаван, 1987, c. 3
Примесные фотоприемники на основе кремния, легированного серой
1987 | Հոդված/Article
Физика. Неравновесные процессы в полупроводниках. Межвузовский сборник научных трудов. - 1987. — вып.7, Изд. ЕрГУ, c. 18
Исследование влияния облучения электронами различных доз на свойства полупроводниковых фотоприемников и преобразователей солнечной энергии
1986 | Գիրք/Book
Отчет по научно-исследовательской работе по хоз. договору ПД-18, проводимой в ЕГУ и в ЕрФИ для ЕрФИ, 1986, гос.рег. N 0186.0130298, УДК 621.383.4, c. 80
Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S
1986 | Հոդված/Article
Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6
Электрофизические и фотоэлектри-ческие свойства кремния,легирован-ного серой
1985 | Հոդված/Article
Физика и техника полупроводников. -1985.-т. 19, вып. 12. ЦНИИ "Электроника" - спр. о деп. рукоп. N9827, c. 10
Electrophysical and Photoelectrical Properties of Sulfur Doped Silicon
1985 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika i Technika Poluprovodnikov). - 1985. -Vol.19, issue 12. Allerton Press. Inc, p. 9
Исследование и разработка метода фотоемкостной спектроскопии для определения профиля распределения глубоких центров в полупроводниках
1985 | Գիրք/Book
Отчет по научно-исследовательской работе по хоз. договору ПД-17, проводимой в ЕГУ для СКВ ИРФЭ АН Арм. ССР, 1985, гос.рег. N0185.051340, УДК 621.383.4, c. 30
Автоматический спектрометр на основе зеркального монохроматора
1982 | Հոդված/Article
Молодой научный работник. - 1982. -т. 18, вып.2, c. 4
Семерджян Б. О , Кастальский A.A.
Люминесценция полупроводников, вызванная разогревом носителей тока
1977 | Թեզիս/Thesis
Тезисы докладов, III Всесоюзный симпозиум. Плазма и неустойчивости в полупроводниках. Вильнюс. – 1977, c. 1
Семерджян Б. О , Кастальский A.A.
Люминесценция полупроводников, вызванная разогревом носителей тока
1976 | Հոդված/Article
Физика твердого тела. - 1976. - т. 18, вып. 9, p. 3
Kastalski A.A., Semerjyan B. O.
Semiconductors' luminescence induced by heating of current carriers
1976 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika Tverdogo Tela). - 1976. - Vol.18, issue 9. Allerton Press. Inc., p. 3
Семерджян Б. О , Кастальский A.A.
Перегревная люминесценция в InSb
1976 | Հոդված/Article
Физика и техника полупроводников. -1976.-т. 10, вып. 9, c. 3
Kastalski A.A., Semerjyan B. O.
Overheating Luminescence in InSb
1976 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika i Technika Poluprovodnikov). - 1976. -Vol.10, issue 9. Allerton Press. Inc., p. 3
Семерджян Б. О. , Кастальский A.A.
Перегревная люминесценция из p-n-перехода
1976 | Հոդված/Article
Физика твердого тела. - 1976. - т.20, вып. 1, c. 3
Kastalski A.A., Semerjyan B. O
Overheating Luminescence from p-n-junction
1976 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics, Academy of Sciences USSR (Fizika Tverdogo Tela). - 1976. - Vol.20, issue 1. Allerton Press. Inc., p. 3