Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետ
Faculty of Radiophysics
Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետը ստեղծվել է 1975 թ-ին:
>
Սլավիկ Վոլոդյայի Մելքոնյան

Պրոֆեսոր | Կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոն
Կարգավիճակ
Ֆիզմաթ. գիտ. դոկտոր

Հիմնական հետազոտական նախընտրություններ (փորձագիտական ոլորտներ)
Ֆլուկտուացիոն երևույթները կիսահաղորդչային նյութերում և սարքերում
Մակերևութային երևույթներ

Ընթացիկ հետազոտական նախընտրություններ
Շարժունակության ֆլուկտուացիա

Կրթական կենսագրություն
1975 - 1980 թթ. ավարտել է Երևանի պետական համալսարանի ռադիոֆիզիկայի ֆալուլտետը
մասնագիտացում` ռադիոֆիզիկա և էլեկտրոնիկա
որակավորում` ռադիոֆիզիկոս
1982 - 1986 թթ. ավարտել է Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկա և միկոէլեկտրոնիկա ամբիոնի ասպիրանտուրան
1990 թ. ֆիզմաթ. գիտ. թեկնածու, «Խորը մակարդակներով կոմպենսացված կիսահաղորդչից պատրաստաված p+nn+ կառուցվածքների աղմուկների վերլուծություն», Հայաստանի ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և Էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ
2007 թ. ֆիզմաթ. գիտ. դոկտոր, «Համասեռ կիսահաղորդիչներում էլեկտրոնների ցանցային շարժունակության ֆոնոնային հավասարակշիռ 1/f-ֆլուկտուացիաներ», Երևանի պետական համալսարան

Աշխատանքային և հետազոտական կենսագրություն
2007 թ-ից մինչև հիմա Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի դոցենտ
1980 - 2006 թթ. Երևանի պետական համալսարանի կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնի գիտաշխատող

Ակադեմիական կուրսեր / Դասավանդական և նախապատրաստական փորձառույթներ
2007 թ.-ից մինչև հիմա Երևանի պետական համալսարան, կիսահաղորդիչների ֆիզիկա, կինետիկական երևույթները կիսահաղորդիչներում, ֆլուկտուացիոն երևույթները կիսահաղորդիչներում, կիսահաղորդիչների օպտիկական հատկությունները,
կիսահաղորդչային հետերոանցումներ, բյուրեղային դիէլեկտրիկների ֆիզիկա, պինդ մարմնի տեսության ներածություն

smelkonyan@ysu.am;

Slavik V. Melkonyan , Tigran A. Zalinyan, Sargis S. Melkonyan
Electron Mobility Non-Damping Fluctuations in Semiconductors
2018 | Հոդված/Article
Fluctuation and noise letters. 2018, Vol. 17, No 02, 1850018(1-15) pp.
|
On the theory of intravalley Raman scattering in intrinsic graphene
2017 | Հոդված/Article
11th International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics (ICSMNE 2017). p. 9-13
|
T. A. Zalinyan, S. V. Melkonyan
Electron lattice mobility fluctuations in equilibrium semiconductors
2017 | Հոդված/Article
11th International Conference on Semiconductor Micro- and Nanoelectronics (ICSMNE 2017). p. 14-18
|
Կիսահաղորդիչների օպտիկայի հիմունքներ
2015 | Գիրք/Book
Ուս. ձեռնարկ: ԵՊՀ հրատ., 2015թ․, 155 էջ
|
Non-Gaussian conductivity fluctuations in semiconductors
2010 | Հոդված/Article
Physica B, v. 405, N1, 2010, 379-385
S.V. Melkonyan , A. V. Surmalyan
Features of the electron mobility variance in homopolar semiconductors
2010 | Հոդված/Article
Journal of Contemporary. Physics (Armenian Academy of Sciences), v. 45, N6, 2010, 286-290
S. V. Melkonyan , A. P. Hakhoyan
Features of the refractive index of porous silicon with gradient porosity
2008 | Հոդված/Article
Armenian Journal of Physics, v. 1, 2008, 146-150
On the low-frequency limit of the Schonfeld pulse 1/f-law
2008 | Հոդված/Article
Physica B, v. 403, N12, 2008, 2029-2035
Main sources of electron mobility fluctuations in semiconductors
2007 | Հոդված/Article
Noise and Fluctuations in Circuits, Devices and Materials; Ed. by Massimo Macucci, Lode K. Vandamme, Carmine Ciofi, Michael B. Weissman; Proc. of SPIE v.6600, 2007, 66001K-1 - 66001K-8.
Photosensitive structures Based on Silicon Having Deep Centers, which Have Been Irradiated with Streams of Fast Electrons
1992 | Թեզիս/Thesis
Proceedings of the IV International Meeting on Sensors (Eurosensors VI). -1992.-San-Sebastian, Spain, p. 1
Photosensitive structures based on silicon having deep centers, which have been irradiated with streams of fast electrons
1990 | Հոդված/Article
Soviet Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences) (Izvestija Akademii Nauk Armyanskoi SSR, Fizika). 1990. v.25, issue 1. Allerton Press Inc, p. 6
M. H. Azaryan , V. M. Harytynyan , Z. N. Adamyan , R. S. Barseghyan, F. V. Gasparyan , B. O. Semergian, Z. H. Mchitaryan, S.V.Melkonyan
Fenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S
1986 | Հոդված/Article
Infrared Pysics,1986, 26,5,p.267-272
Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S
1986 | Հոդված/Article
Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6