Ընդհանուր տվյալներ
Ծրագրում նախատեսվում է մշակել և իրականացնել բազմապարբերանի ՏՀց իմպուլսների գեներացման նոր սխեմա փուլային դիմակով պատված կիսահաղորդչային ոչ գծային նյութերում գերկարճ լազերային ճառագայթման օպտիկական ուղղման (ՕՈՒ) միջոցով։ Բազմաճեղքային փուլային դիմակը (ՓԴ) ձևավորում է ոչ գծայնության նշանի մոդուլմամբ արհեստական պարբերական կառուցվածք։ Ըստ մեր տեղեկությունների՝ սա կլինի կիսահաղորդիչներում ՏՀց ճառագայթման գեներացման համար ՕՈՒ-ի կիրառման առաջին փորձը: Տեսականորեն և փորձնականորեն կուսումնասիրվի ՏՀց ճառագայթման գեներացումը ZnTe-ի, GaP-ի և GaAs-ի հիման վրա իրականացված արհեստական պարբերական կառուցվածքներում: Արդյունքները կհամեմատվեն լայնորեն օգտագործվող պարբերական բևեռացմամբ լիթիումի նիոբաթի և կալիումի տիտանիլֆոսֆատի բյուրեղներում ստացված արդյունքների հետ: Ըստ մեր նախնական գնահատումների՝ բազմացիկլ ՏՀց իմպուլսի էներգիան կարող է հասնել մոտ 50 մկՋ՝ 2% հարաբերական սպեկտրալ լայնությամբ: ՏՀց ճառագայթման ենտրոնական հաճախությունը հնարավոր է փոփոխել մեկ օկտավայի սահմաններում՝ կառուցելով ՓԴ-ի պատկերը բյուրեղյում տարբեր խոշորացումներով։ Բացի դրանից՝ հնարավոր է կարգավորել հաճախային շերտի հարաբերական լայնությունը 2% – 70% միջակայքում՝ փոփոխելով մղող լազերային փնջի բացվածքը բյուրեղում:
Օտարերկրյա գործընկեր
Միխայիլ Իվանովիչ Բակունով, Նիժնի Նովգորոդի պետական համալսարան
