ԵՊՀ առկա ուսուցմամբ մագիստրատուրայի ընդունելության կարգի համաձայն՝ դիմորդների ընդունելությունն անցկացվում է բանավոր քննությամբ:
Ընդունելության քննության հարցաշար
Էլեկտրադինամիկա
1. Մաքսվելի հավասարումները և դրանց ֆիզիկական մեկնաբանությունները: Ուշացող պոտենցիալներ
2. Քվազիառաձգական և կոշտ դիպոլների բևեռացում: Սեգնետոէլեկտրիկներ
3. Էլեկտրամագնիսական ալիքների տարածումը անսահմանափակ համասեռ դիէլեկտրիկներում
4. Մոնոքրոմատիկ հարթ ալիք: Բևեռացում
5. Դիպոլային ճառագայթումը և դրա բնութագրերը
Բյուրեղագիտություն
6. Բյուրեղի կառուցվածքը ու տարածական ցանցը: Բրավեի ցանցեր: Դրանց բնութագրերը: Բյուրեղական կատեգորիաներ և սինգոնիաներ
7. Սիմետրիայի առանցք, սիմետրիայի հարթություն, սիմետրիայի կենտրոն: Հակադարձ ցանց: Հակադարձ ցանցի հիմնական հատկությունները
Նյութագիտություն
8. Ֆազային դիագրամներ կառուցելու հիմնական սկզբունքը: Կոնոդայի ֆիգուրատիվ կետի հասկացությունը: Բազուկի օրենքը: Գիբսի ֆազերի օրենքը: Վարիանտության հասկացությունը
9. Հավասարակշռության P-T և T-X ֆազային դիագրամներ
10. Եռաբաղադրիչ համակարգերի հավասարակշռության T-X ֆազային դիագրամներ կոմպոնենտների սահմանափակ և անսահմանափակ լուծելիության դեպք
11. A3B5 և A2B6 դասի կիսահաղորդիչների հատկությունները և կիրառությունները
Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա
12. Շրեդինգերի հավասարումը բյուրեղների համար: Ադիաբատ և միաէլեկտրոն մոտավորություններ
13. Թույլ կապված էլեկտրոնների մոտավորություն: Ուժեղ կապված էլեկտրոնների մոտավորություն
14. Էներգիայի կախումը ալիքային վեկտորից: Քվազիիմպուլս: Բրիլյուենի գոտիներ
15. Էներգետիկ գոտիներ: Գոտիների լրացումը էլեկտրոններով և նյութերի դասակարգումը մետաղների, կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների
16. Խառնուրդային վիճակները կիսահաղորդիչներում
17. Վիճակների խտությունը գոտիներում: Էլեկտրոնների և խոռոչների կոնցենտրացիաները ընդհանուր դեպքում: Այլասերված և չայլասերված կիսահաղորդիչներ
18. Էլեկտրոնների և խոռոչների վիճակագրությունը սեփական և խառնուրդային կիսահաղորդիչներում
19. Բոլցմանի կինետիկական հավասարման լուծումը ռելաքսացիայի ժամանակի մոտավորությամբ
20. Կիսահաղորդիչների տեսակարար դիմադրությունը, նրա ջերմաստիճանային կախումը
21. Հոլի էֆեկտ: Մագնիսադիմադրություն
22. Անհավասարակշիռ լիցքակիրների բիպոլյար գեներացիա: Կյանքի տևողությունը: Ռեկոմբինացիայի մեխանիզմները
Կիսահաղորդչային նյութերի և սարքերի տեխնոլոգիա
23. Փուլի առաջացման ընդհանուր տեսության հիմնական դրույթները: Նոր փուլի հոմոգեն և հետերոգեն ձևափոխություններ
24. Ֆոտոլիտոգրաֆիա: Ինտեգրալ սխեմաների արտադրության փուլերը
25. Նանոլիտոգրաֆիա: SEM, FIB, AFM և TEM սարքավորումներ
26. Ծավալային բյուրեղների աճեցման տեխնոլոգիական մեթոդները: Տիգելային և գոտիական հալման մեթոդները: Միաբյուրեղների աճեցման Բրիջմանի և Չոխրալսկու մեթոդը: «Լողացող գոտի» մեթոդ
27. Էպիտաքսիա: Նրա էությունը և առանձնահատկությունները: Էպիտաքսիալ աճի մեթոդները
28. Խառնուրդների դիֆուզիան կիսահաղորդիչներում: Դիֆուզիայի պրոցեսի ֆիզիկական հիմունքները: Ֆիկի առաջին և երկրորդ օրենքները
Կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկա
29. Ջերմոէլեկտրոնային էմիսիա: Կոնտակտային պոտենցիալների տարբերություն
30. Ուղղման դիֆուզիոն և դիոդային տեսություններ
31. p-n անցում: Լիցքակիրների բաշխումը p-n անցումում
32. Ինժեկցիա և էքստրակցիա: Բարակ p-n անցման վոլտ-ամպերային բնութագիրը
33. S և N տեսակի վոլտամպերային բնութագծով սարքեր: Թունելային դիոդ
34. Ֆոտոդիոդ: Արեգակնային էլեմենտ
35. Կիսահաղորդչային լազեր: Լուսադիոդ
36. Դաշտային տրանզիստորներ: Ներկառուցված ուղետարով դաշտային տրանզիստորներ
Դիէլեկտրիկների ֆիզիկա
37. Բևեռային և ոչ բևեռային դիէլեկտրիկներ: Ինդուկցված դիպոլ մոմենտներ
38. Կողմնորոշիչ փոխազդեցություն: Հաստատուն դիպոլի դաշտը: Երկու հաստատուն դիպոլների փոխազդեցության էներգիան
39. Դիէլեկտրիկական կորուստներ: Դիէլեկտրիկական կորուստները ռելաքսացիոն բևեռացմամբ և միջանցիկ հաղորդականությամբ դիէլեկտրիկում
40. Պյեզոէլեկտրիկներ
Միկրոէլեկտրոնիկա
41. Ինտեգրալ սխեմաներում էլեմենտների մեկուսացման եղանակները
42. Բազմաէմիտերային և բազմակոլեկտորային տրանզիստորներ: Շոտկիի արգելքով տրանզիստորներ: Տրամաբանական էլեմենտներ նրանց հիման վրա
43. Ինժեկտորային p-n անցումով տրանզիստոր, ինտեգրալային-ինժեկցիոն տրամաբանություն
44. Լիցքային կապով սարքեր
45. Տրամաբանական էլեմենտներ և հիշող կառուցվածքներ դաշտային տրանզիստորների հիման վրա
46. Դիֆերենցիալ ուժեղացուցիչ, օպերացիոն ուժեղացուցիչ և նրանց միացման սխեմաները
47. Նեյրիստորային սխեմաներ: Հիշասարքեր
Կիսահաղորդիչների օպտիկական հատկությունները
48. Լույսի կլանման մեխանիզմները կիսահաղորդիչներում
49. Ճառագայթային անցումները կիսահաղորդչում: Լազերային էֆեկտ
50. Ֆոտոհաղորդականություն: Դեմբերի էֆեկտը
Գրականության ցանկ
- Գասպարյան Ֆ.Վ. , Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա եւ պինդմարմնային էլեկտրոնիկայի հիմունքներ, Երեւան, 2011:
- Ղամբարյան Կ.Մ., Կիսահաղորդչային էպիտաքսիալ բարակ թաղանթների աճեցման տեխնոլոգիական մեթոդները. Երեւան, ԵՊՀ հրատար., 2008, 45 էջ։
- Մելքոնյան Ս.Վ., Կիսահաղորդիչների օպտիկայի հիմունքներ, ԵՊՀ, 2015։
- П.С. Степаненко. Микроэлектроника., 2001.
- Р. Бургер, Р. Донована. Основы технологии кремниевых интегральных схем., 1993.
- И.А. Малышева. Технология производства интегральных микросхем., 1991.
- У. Тилл, Дж. Лаксон. Интегральные схемы, материалы и приборы., 1990.
- С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и
- диэлектриков.М. Металургия, 1988г.
- К.Д. Товстонюк. Полупроводниковое материаловедение. Киев, Наукова думка, 1984г.
- В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. Физико-Технические основы технологии полупроводниковых материалов. 1982 г.
- В.М. Глазов, Л.М. Павлова. Химическая термодинамика и фазовые превращения.М., Металлургия, 1981 г.
- M. Gardman, The physics of semiconductors, Springer, 2010.
- C. Jacobini, Theory of electron transport in semiconductors, Springer, 2010.
- Г.Е. Пикус, Основы теории полупроводниковых приборов, М., 2012.
- S.M. Sze, K.Ng. Kwork, Physics of semiconductor devices, John Wiley & Sons, Inc., 2007.
- B. Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices, 2001.
- J. Singh, Semiconductor devices, John Wiley & Sons, Inc., 2002.
- C. Klingshirn, Semiconductor optics, Springer, 2006.